codice articolo del costruttore | L6221AS |
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Numero di parte futuro | FT-L6221AS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
L6221AS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 4 NPN Darlington (Quad) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 1.8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-PowerDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L6221AS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | L6221AS-FT |
PBSS4160DS,115
Nexperia USA Inc.
BCM857DS,115
Nexperia USA Inc.
BCM847DS,135
Nexperia USA Inc.
IMZ1AT108
Rohm Semiconductor
IMT1AT110
Rohm Semiconductor
PBSS4240DPN,115
Nexperia USA Inc.
BC817UE6327HTSA1
Infineon Technologies
IMX9T110
Rohm Semiconductor
BCM53DSF
Nexperia USA Inc.
BC846DS,115
Nexperia USA Inc.
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel