casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / PBSS4160DS,115
codice articolo del costruttore | PBSS4160DS,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS4160DS,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS4160DS,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V |
Potenza - Max | 420mW |
Frequenza - Transizione | 220MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS4160DS,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS4160DS,115-FT |
TPC6901(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
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HN4C06J-BL(TE85L,F
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FFB5551
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XC3S50-5TQG144C
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XC6SLX75T-N3CSG484I
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5SGXMA5K2F40C3N
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Lattice Semiconductor Corporation
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