casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSD882YSTSTU
codice articolo del costruttore | KSD882YSTSTU |
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Numero di parte futuro | FT-KSD882YSTSTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSD882YSTSTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 90MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-126-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD882YSTSTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSD882YSTSTU-FT |
BD14010S
ON Semiconductor
BD1406S
ON Semiconductor
BD1406STU
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M2GL050T-FCSG325
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A42MX36-1CQ256
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5SGXEA3K1F40C2N
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EP4SE360H29C3N
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10AX032E3F27E2LG
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10AX022E4F29I3LG
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XA7A35T-1CPG236Q
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LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
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EP3SE110F780C2N
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EP3SL110F780I4L
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