casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BD17910STU
codice articolo del costruttore | BD17910STU |
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Numero di parte futuro | FT-BD17910STU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD17910STU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
Potenza - Max | 30W |
Frequenza - Transizione | 3MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-126-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD17910STU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD17910STU-FT |
BD237STU
ON Semiconductor
MJE180STU
ON Semiconductor
BD13716STU
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BD682S
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ON Semiconductor
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V80-4FGG256I
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-PQ208I
Microsemi Corporation
APA600-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I2LN
Intel
XC2VP20-5FFG896I
Xilinx Inc.
EP3CLS70F780C8N
Intel
EPF6016QC208-3N
Intel
EP1SGX40GF1020C7
Intel