casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BD14010S
codice articolo del costruttore | BD14010S |
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Numero di parte futuro | FT-BD14010S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD14010S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
Potenza - Max | 1.25W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-126-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD14010S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD14010S-FT |
KSB772YS
ON Semiconductor
KSE13003H2ASTU
ON Semiconductor
BD13816STU
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KSD1691GS
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LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
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A3P1000-FG256
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LFE5UM-85F-7BG554I
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EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
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EP3SE80F1152I3
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XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
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