casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSC2330YBU
codice articolo del costruttore | KSC2330YBU |
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Numero di parte futuro | FT-KSC2330YBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSC2330YBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 20mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSC2330YBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSC2330YBU-FT |
JANTXV2N3439L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3440L
Microsemi Corporation
JANTXV2N5238
Microsemi Corporation
JANTX2N5237
Microsemi Corporation
JAN2N4150
Microsemi Corporation
JAN2N1482
Microsemi Corporation
JAN2N3439L
Microsemi Corporation
JANS2N4150
Microsemi Corporation
JANTX2N3439L
Microsemi Corporation
JANTX2N5663
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel