casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N4150
codice articolo del costruttore | JAN2N4150 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N4150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/394 |
JAN2N4150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 70V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 1A, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 5A, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N4150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N4150-FT |
JANTX2N3251A
Microsemi Corporation
JANTX2N3468
Microsemi Corporation
JANTX2N3743
Microsemi Corporation
JANTX2N3762
Microsemi Corporation
JANTX2N3763
Microsemi Corporation
JANTX2N4405
Microsemi Corporation
JANTXV2N3735
Microsemi Corporation
JANTXV2N4033
Microsemi Corporation
JANTX2N5667
Microsemi Corporation
JANTX2N5665
Microsemi Corporation
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel