casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANS2N4150
codice articolo del costruttore | JANS2N4150 |
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Numero di parte futuro | FT-JANS2N4150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/394 |
JANS2N4150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 70V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 1A, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 5A, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS2N4150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANS2N4150-FT |
JANTX2N3762
Microsemi Corporation
JANTX2N3763
Microsemi Corporation
JANTX2N4405
Microsemi Corporation
JANTXV2N3735
Microsemi Corporation
JANTXV2N4033
Microsemi Corporation
JANTX2N5667
Microsemi Corporation
JANTX2N5665
Microsemi Corporation
JANTX2N5303
Microsemi Corporation
JANTX2N2484
Microsemi Corporation
JANS2N2222A
Microsemi Corporation
XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CEFA7F27C6N
Intel
EP4CE6E22I8LN
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5CGXFC5F6M11C6N
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EP3SL110F1152C4LN
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