casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / KBPC5010W-G
codice articolo del costruttore | KBPC5010W-G |
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Numero di parte futuro | FT-KBPC5010W-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBPC5010W-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 25A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, KBPC-W |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBPC-W |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBPC5010W-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KBPC5010W-G-FT |
HDS10M-13
Diodes Incorporated
HDS20M-13
Diodes Incorporated
MSB10M-13
Diodes Incorporated
DFBR030U3LP-13
Diodes Incorporated
RDBF1510U-13
Diodes Incorporated
RDBF2510-13
Diodes Incorporated
RDBF310-13
Diodes Incorporated
DBF1510U-13
Diodes Incorporated
DBF210-13
Diodes Incorporated
DBF2510-13
Diodes Incorporated
LFEC3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FG484I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F23C9LN
Intel
EP3C25U256A7N
Intel
5SGXEA7N1F45C2L
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP1S30F780C7
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel