casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DBF210-13
codice articolo del costruttore | DBF210-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DBF210-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DBF210-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | DBF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBF210-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DBF210-13-FT |
DBA500G
ON Semiconductor
DBB08G-TM-E
ON Semiconductor
DBD10G-TM-E
ON Semiconductor
DBG150G
ON Semiconductor
DBG250G
ON Semiconductor
DBF10G
ON Semiconductor
DBF10TG
ON Semiconductor
DBF150G
ON Semiconductor
DBF20G
ON Semiconductor
DBF250G
ON Semiconductor
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel