casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MSB10M-13
codice articolo del costruttore | MSB10M-13 |
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Numero di parte futuro | FT-MSB10M-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSB10M-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-MSB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSB10M-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSB10M-13-FT |
DBA20G
ON Semiconductor
DBA20G-K15
ON Semiconductor
DBA250G
ON Semiconductor
DBA40G
ON Semiconductor
DBA40G-K15
ON Semiconductor
DBA40G-K20
ON Semiconductor
DBA500G
ON Semiconductor
DBB08G-TM-E
ON Semiconductor
DBD10G-TM-E
ON Semiconductor
DBG150G
ON Semiconductor
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1AGX50CF484C6
Intel
10CL006ZU256I8G
Intel
5SGSMD6K3F40C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FF665I
Xilinx Inc.
10AX066H3F34I3SGES
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel