casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / KBL410-G
codice articolo del costruttore | KBL410-G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-KBL410-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBL410-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, KBL |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBL410-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KBL410-G-FT |
GBJ25005-05-G
Comchip Technology
GBJ25005-06-G
Comchip Technology
GBJ25005-G
Comchip Technology
GBJ2501-03-G
Comchip Technology
GBJ2501-04-G
Comchip Technology
GBJ2501-05-G
Comchip Technology
GBJ2501-06-G
Comchip Technology
GBJ2501-G
Comchip Technology
GBJ2502-03-G
Comchip Technology
GBJ2502-04-G
Comchip Technology
A54SX32A-TQ144I
Microsemi Corporation
XC2V250-4FGG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AX250-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
XCV150-5BG256C
Xilinx Inc.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation