casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ2501-06-G
codice articolo del costruttore | GBJ2501-06-G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GBJ2501-06-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2501-06-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2501-06-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ2501-06-G-FT |
PBPC1006
Diodes Incorporated
PBPC1007
Diodes Incorporated
PBPC801
Diodes Incorporated
PBPC802
Diodes Incorporated
PBPC803
Diodes Incorporated
PBPC804
Diodes Incorporated
PBPC805
Diodes Incorporated
PBPC806
Diodes Incorporated
PBPC807
Diodes Incorporated
PBPC601
Diodes Incorporated
LCMXO2-256HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V2-CSG81
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9D6F27C7N
Intel
5AGZME7K2F40I3LN
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FFG901C
Xilinx Inc.
A40MX04-1PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation