casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ2502-03-G
codice articolo del costruttore | GBJ2502-03-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ2502-03-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2502-03-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 12.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2502-03-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ2502-03-G-FT |
PBPC801
Diodes Incorporated
PBPC802
Diodes Incorporated
PBPC803
Diodes Incorporated
PBPC804
Diodes Incorporated
PBPC805
Diodes Incorporated
PBPC806
Diodes Incorporated
PBPC807
Diodes Incorporated
PBPC601
Diodes Incorporated
PBPC602
Diodes Incorporated
PBPC603
Diodes Incorporated
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
10M50DCF256I6G
Intel
EP4SGX290KF40I4
Intel
5SGXMA7N1F45C1N
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation