casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N5666
codice articolo del costruttore | JAN2N5666 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N5666 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/455 |
JAN2N5666 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5A, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 200nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 5V |
Potenza - Max | 1.2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N5666 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N5666-FT |
JANTX2N2221AL
Microsemi Corporation
JANTX2N2221AUA
Microsemi Corporation
JANTX2N2221AUB
Microsemi Corporation
JANTX2N2222AUA
Microsemi Corporation
JANTX2N2484UA
Microsemi Corporation
JANTX2N2484UB
Microsemi Corporation
JANTX2N2904AL
Microsemi Corporation
JANTX2N2906AUA
Microsemi Corporation
JANTX2N2906AUB
Microsemi Corporation
JANTX2N2946A
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel