casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6052
codice articolo del costruttore | JAN2N6052 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N6052 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/501 |
JAN2N6052 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Potenza - Max | 150W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3 (TO-204AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6052 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N6052-FT |
JANTX2N2484UB
Microsemi Corporation
JANTX2N2904AL
Microsemi Corporation
JANTX2N2906AUA
Microsemi Corporation
JANTX2N2906AUB
Microsemi Corporation
JANTX2N2946A
Microsemi Corporation
JANTX2N3498L
Microsemi Corporation
JANTX2N3499
Microsemi Corporation
JANTX2N3499L
Microsemi Corporation
JANTX2N3500L
Microsemi Corporation
JANTX2N3501L
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M25DAF484I6G
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXEB6R3F43I3LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780I6
Intel
EPF10K50RI240-4
Intel