casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3420
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3420 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3420 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/393 |
JANTXV2N3420 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3420 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3420-FT |
JAN2N3999
Microsemi Corporation
JAN2N4150S
Microsemi Corporation
JAN2N4234
Microsemi Corporation
JAN2N4236
Microsemi Corporation
JAN2N4237
Microsemi Corporation
JAN2N4238
Microsemi Corporation
JAN2N4239
Microsemi Corporation
JAN2N5151
Microsemi Corporation
JAN2N5151L
Microsemi Corporation
JAN2N5152
Microsemi Corporation
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
5SGXEA3K2F40C2N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
Intel
EP20K100QC240-1
Intel
EP20K60EQI208-2X
Intel