casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N5151L
codice articolo del costruttore | JAN2N5151L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JAN2N5151L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/545 |
JAN2N5151L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 2.5A, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N5151L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N5151L-FT |
JAN2N3637UB
Microsemi Corporation
JAN2N3737UB
Microsemi Corporation
JAN2N4033UB
Microsemi Corporation
JAN2N4261
Microsemi Corporation
JAN2N4261UB
Microsemi Corporation
JAN2N4449
Microsemi Corporation
JAN2N5581
Microsemi Corporation
JAN2N720A
Microsemi Corporation
JAN2N918UB
Microsemi Corporation
JANTX2N2218
Microsemi Corporation
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel