casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N4150S
codice articolo del costruttore | JAN2N4150S |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N4150S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/394 |
JAN2N4150S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 70V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 1A, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 5A, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N4150S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N4150S-FT |
JAN2N3500
Microsemi Corporation
JAN2N3500L
Microsemi Corporation
JAN2N3635
Microsemi Corporation
JAN2N3635L
Microsemi Corporation
JAN2N3635UB
Microsemi Corporation
JAN2N3637
Microsemi Corporation
JAN2N3637L
Microsemi Corporation
JAN2N3637UB
Microsemi Corporation
JAN2N3737UB
Microsemi Corporation
JAN2N4033UB
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel