casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N4150S
codice articolo del costruttore | JAN2N4150S |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N4150S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/394 |
JAN2N4150S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 70V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 1A, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 5A, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N4150S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N4150S-FT |
JAN2N3500
Microsemi Corporation
JAN2N3500L
Microsemi Corporation
JAN2N3635
Microsemi Corporation
JAN2N3635L
Microsemi Corporation
JAN2N3635UB
Microsemi Corporation
JAN2N3637
Microsemi Corporation
JAN2N3637L
Microsemi Corporation
JAN2N3637UB
Microsemi Corporation
JAN2N3737UB
Microsemi Corporation
JAN2N4033UB
Microsemi Corporation
EP2C5T144I8
Intel
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-FG144
Microsemi Corporation
10CL025ZU256I8G
Intel
5SGXEA5N2F40I2L
Intel
EP4CGX30BF14C6N
Intel
5SGXEA4H3F35I3N
Intel
XC4VLX40-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQI208-2N
Intel