casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N1893S
codice articolo del costruttore | JANTXV2N1893S |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N1893S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/182 |
JANTXV2N1893S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 15mA, 150mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 3W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N1893S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N1893S-FT |
JAN2N3902
Microsemi Corporation
JAN2N3996
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JAN2N3997
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JAN2N3998
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JAN2N3999
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JAN2N4150S
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JAN2N4234
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JAN2N4236
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JAN2N4237
Microsemi Corporation
JAN2N4238
Microsemi Corporation
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG676C
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XC7A50T-1CSG325C
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10AX027H3F34I2LG
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5SGSMD5H3F35C2LN
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Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation