casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3996
codice articolo del costruttore | JAN2N3996 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3996 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/374 |
JAN2N3996 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Stud Mount |
Pacchetto / caso | TO-111-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-111 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3996 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3996-FT |
JAN2N3498
Microsemi Corporation
JAN2N3498L
Microsemi Corporation
JAN2N3499
Microsemi Corporation
JAN2N3499L
Microsemi Corporation
JAN2N3500
Microsemi Corporation
JAN2N3500L
Microsemi Corporation
JAN2N3635
Microsemi Corporation
JAN2N3635L
Microsemi Corporation
JAN2N3635UB
Microsemi Corporation
JAN2N3637
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
EP4SGX360KF43C4
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F35E2SG
Intel