casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5811
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5811 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5811 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JANTXV1N5811 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 65pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | B, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5811 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5811-FT |
JANTX1N5816
Microsemi Corporation
JANTX1N5819UR-1/TR
Microsemi Corporation
JANTX1N5822US/TR
Microsemi Corporation
JANTX1N6073
Microsemi Corporation
JANTX1N6076
Microsemi Corporation
JANTX1N6077
Microsemi Corporation
JANTX1N6078
Microsemi Corporation
JANTX1N6081
Microsemi Corporation
JANTX1N6391
Microsemi Corporation
JANTX1N6392
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel