casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5552US
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5552US |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5552US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
JANTXV1N5552US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5B |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5552US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5552US-FT |
JANTXV1N4150UR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6677UR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6858UR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148-1
M/A-Com Technology Solutions
JANTXV1N4454-1
M/A-Com Technology Solutions
JANS1N3595US
Microsemi Corporation
1N3595US
Microsemi Corporation
MC5616
Microsemi Corporation
MBR20100CTE3/TU
Microsemi Corporation
LX2400ILG
Microsemi Corporation
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation