casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N6858UR-1
codice articolo del costruttore | JANTXV1N6858UR-1 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N6858UR-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/444 |
JANTXV1N6858UR-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente: media rettificata (Io) | 75mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 4.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N6858UR-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N6858UR-1-FT |
APT100DL60BG
Microsemi Corporation
MSC030SDA120B
Microsemi Corporation
MSC050SDA070B
Microsemi Corporation
APT30D20BG
Microsemi Corporation
APT10SCD120B
Microsemi Corporation
APT10SCE120B
Microsemi Corporation
APT10SCE170B
Microsemi Corporation
APT30SCD120B
Microsemi Corporation
APT60D30BG
Microsemi Corporation
JAN1N6661US
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel