casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANS1N3595US
codice articolo del costruttore | JANS1N3595US |
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Numero di parte futuro | FT-JANS1N3595US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-S-19500-241 |
JANS1N3595US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1nA @ 125V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N3595US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANS1N3595US-FT |
APT30D20BG
Microsemi Corporation
APT10SCD120B
Microsemi Corporation
APT10SCE120B
Microsemi Corporation
APT10SCE170B
Microsemi Corporation
APT30SCD120B
Microsemi Corporation
APT60D30BG
Microsemi Corporation
JAN1N6661US
Microsemi Corporation
JANS1N6662US
Microsemi Corporation
JANTX1N6661US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6661US
Microsemi Corporation
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel