casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N6352
codice articolo del costruttore | JANTX2N6352 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N6352 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/472 |
JANTX2N6352 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 5mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 5A, 5V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-213AA, TO-66-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-66 (TO-213AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N6352 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N6352-FT |
JANS2N5416
Microsemi Corporation
JANS2N5416U4
Microsemi Corporation
JANS2N5416UA
Microsemi Corporation
JANS2N5665
Microsemi Corporation
JANS2N5666U3
Microsemi Corporation
JANS2N5667
Microsemi Corporation
JANS2N6193
Microsemi Corporation
JANS2N6193U3
Microsemi Corporation
JANS2N6249T1
Microsemi Corporation
JANS2N6250T1
Microsemi Corporation
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation