casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTX2N5012S
codice articolo del costruttore | JANTX2N5012S |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX2N5012S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/727 |
JANTX2N5012S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX2N5012S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX2N5012S-FT |
JAN2N6250T1
Microsemi Corporation
JAN2N6251
Microsemi Corporation
JAN2N6251T1
Microsemi Corporation
JAN2N6277
Microsemi Corporation
JAN2N6284
Microsemi Corporation
JAN2N6350
Microsemi Corporation
JAN2N6353
Microsemi Corporation
JAN2N6385
Microsemi Corporation
JAN2N6437
Microsemi Corporation
JAN2N6438
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel