casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6385
codice articolo del costruttore | JAN2N6385 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N6385 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/523 |
JAN2N6385 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
Potenza - Max | 6W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-204AA, TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-204AA (TO-3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6385 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N6385-FT |
FJZ945YTF
ON Semiconductor
FMS1AT148
Rohm Semiconductor
FMW3T148
Rohm Semiconductor
FMW4T148
Rohm Semiconductor
FPN330
ON Semiconductor
FPN330A
ON Semiconductor
FPN430
ON Semiconductor
FPN430A
ON Semiconductor
FPN530
ON Semiconductor
FPN530A
ON Semiconductor
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel