casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6250T1
codice articolo del costruttore | JAN2N6250T1 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N6250T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/510 |
JAN2N6250T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 275V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.25A, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 10A, 3V |
Potenza - Max | 6W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-254AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6250T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N6250T1-FT |
FJZ733LTF
ON Semiconductor
FJZ733OTF
ON Semiconductor
FJZ733RTF
ON Semiconductor
FJZ733YTF
ON Semiconductor
FJZ945GTF
ON Semiconductor
FJZ945LTF
ON Semiconductor
FJZ945OTF
ON Semiconductor
FJZ945YTF
ON Semiconductor
FMS1AT148
Rohm Semiconductor
FMW3T148
Rohm Semiconductor
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation