casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6250
codice articolo del costruttore | JAN2N6250 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N6250 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/510 |
JAN2N6250 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 275V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.25A, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 10A, 3V |
Potenza - Max | 6W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3 (TO-204AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6250 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N6250-FT |
FJZ733GTF
ON Semiconductor
FJZ733LTF
ON Semiconductor
FJZ733OTF
ON Semiconductor
FJZ733RTF
ON Semiconductor
FJZ733YTF
ON Semiconductor
FJZ945GTF
ON Semiconductor
FJZ945LTF
ON Semiconductor
FJZ945OTF
ON Semiconductor
FJZ945YTF
ON Semiconductor
FMS1AT148
Rohm Semiconductor
XCS10-4TQ144C
Xilinx Inc.
XCV600E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P600-FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP1M120F484C8ES
Intel
EPF10K100EFC484-3
Intel
EP2SGX90EF1152C4
Intel
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation