casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N5667S
codice articolo del costruttore | JAN2N5667S |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N5667S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/455 |
JAN2N5667S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1A, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 200nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 5V |
Potenza - Max | 1.2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N5667S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N5667S-FT |
DXTN07045DFG-7
Diodes Incorporated
DXTN07060BFG-7
Diodes Incorporated
DXTN07100BFG-7
Diodes Incorporated
DXTP07025BFG-7
Diodes Incorporated
DXTP07040CFG-7
Diodes Incorporated
DXTP07060BFG-7
Diodes Incorporated
DXTP07100BFG-7
Diodes Incorporated
EN2222A
Central Semiconductor Corp
EN2907A
Central Semiconductor Corp
FJP13007H2TU-F080
ON Semiconductor
A54SX32-TQG144M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-1FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
M2GL050T-1VFG400I
Microsemi Corporation
10M02SCU169I7G
Intel
5SGXEA5N3F45C2LN
Intel
XC4VLX100-10FFG1148C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K200SRC240-1N
Intel