casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N5416
codice articolo del costruttore | JAN2N5416 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JAN2N5416 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/485 |
JAN2N5416 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 750mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N5416 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N5416-FT |
CZT5551 BK
Central Semiconductor Corp
CZT5551E BK
Central Semiconductor Corp
CZT5551E TR
Central Semiconductor Corp
CZTUX87 BK
Central Semiconductor Corp
CZTUX87 TR
Central Semiconductor Corp
DXTN07025BFG-7
Diodes Incorporated
DXTN07045DFG-7
Diodes Incorporated
DXTN07060BFG-7
Diodes Incorporated
DXTN07100BFG-7
Diodes Incorporated
DXTP07025BFG-7
Diodes Incorporated
LCMXO640C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S100E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7H3F35C2
Intel
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
Intel
5CGXBC9E6F35C7N
Intel