casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTX1N5617
codice articolo del costruttore | JANTX1N5617 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JANTX1N5617 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/429 |
JANTX1N5617 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 35pF @ 12V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N5617 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX1N5617-FT |
1N5195UR
Microsemi Corporation
1N5196UR
Microsemi Corporation
1N5194UR
Microsemi Corporation
1N647UR-1
Microsemi Corporation
1N649UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4247
Microsemi Corporation
JAN1N4245
Microsemi Corporation
JAN1N4153-1
Microsemi Corporation
JAN1N3614
Microsemi Corporation
JAN1N3613
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel