casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N4153-1
codice articolo del costruttore | JAN1N4153-1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JAN1N4153-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/337 |
JAN1N4153-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 20mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4153-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N4153-1-FT |
JANTX1N6640
Microsemi Corporation
JANTX1N6620
Microsemi Corporation
JANTX1N5811US
Microsemi Corporation
JANTX1N5811
Microsemi Corporation
JANS1N5806US
Microsemi Corporation
JANTX1N5806US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5806US
Microsemi Corporation
JANTX1N5802US
Microsemi Corporation
JANTX1N5804US
Microsemi Corporation
JAN1N5802US
Microsemi Corporation
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation