casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5195UR
codice articolo del costruttore | 1N5195UR |
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Numero di parte futuro | FT-1N5195UR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5195UR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 180V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25nA @ 180V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5195UR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5195UR-FT |
CDLL914
Microsemi Corporation
JANTX1N914
Microsemi Corporation
JANTX1N6843CCU3
Microsemi Corporation
JANTX1N6663
Microsemi Corporation
JANTX1N6626US
Microsemi Corporation
JANTX1N6643US
Microsemi Corporation
JANTX1N6643
Microsemi Corporation
JANTX1N6640
Microsemi Corporation
JANTX1N6620
Microsemi Corporation
JANTX1N5811US
Microsemi Corporation
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel