casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTX1N5615
codice articolo del costruttore | JANTX1N5615 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTX1N5615 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/429 |
JANTX1N5615 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 45pF @ 12V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N5615 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTX1N5615-FT |
1N4148UR-1
Microsemi Corporation
1N4150UR-1
Microsemi Corporation
1N5195UR
Microsemi Corporation
1N5196UR
Microsemi Corporation
1N5194UR
Microsemi Corporation
1N647UR-1
Microsemi Corporation
1N649UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4247
Microsemi Corporation
JAN1N4245
Microsemi Corporation
JAN1N4153-1
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel