casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGP31G-E3/C
codice articolo del costruttore | EGP31G-E3/C |
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Numero di parte futuro | FT-EGP31G-E3/C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGP31G-E3/C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 48pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP31G-E3/C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGP31G-E3/C-FT |
CD1206-B2100
Bourns Inc.
CD1206-B260
Bourns Inc.
CD1206-B220
Bourns Inc.
CD1206-B240
Bourns Inc.
SD2010S040S1R0
AVX Corporation
SD2010S040S2R0
AVX Corporation
SD2010S040S3R0
AVX Corporation
SD2010S020S1R0
AVX Corporation
SD2010S100S1R0
AVX Corporation
UGF12HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel