casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGP51A-E3/C
codice articolo del costruttore | EGP51A-E3/C |
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Numero di parte futuro | FT-EGP51A-E3/C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGP51A-E3/C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 960mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 117pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP51A-E3/C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGP51A-E3/C-FT |
CD1206-B220
Bourns Inc.
CD1206-B240
Bourns Inc.
SD2010S040S1R0
AVX Corporation
SD2010S040S2R0
AVX Corporation
SD2010S040S3R0
AVX Corporation
SD2010S020S1R0
AVX Corporation
SD2010S100S1R0
AVX Corporation
UGF12HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF12HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF12JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel