casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / JANSR2N2920U
codice articolo del costruttore | JANSR2N2920U |
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Numero di parte futuro | FT-JANSR2N2920U |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/355 |
JANSR2N2920U Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANSR2N2920U Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANSR2N2920U-FT |
2N2920L
Microsemi Corporation
2N2920U
Microsemi Corporation
2N3810L
Microsemi Corporation
2N3810U
Microsemi Corporation
2N3838
Microsemi Corporation
2N5795
Microsemi Corporation
SLA4036
Sanken
SLA4051
Sanken
SLA4052
Sanken
SMA4020
Sanken
XC2S30-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325Q
Xilinx Inc.
A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-2X
Intel
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
5SGXEB6R2F40I3N
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
5SGXEA7H2F35C3N
Intel