casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / JAN2N6768
codice articolo del costruttore | JAN2N6768 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N6768 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
JAN2N6768 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | TO-204AE |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6768 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N6768-FT |
IXFV22N50PS
IXYS
IXFV26N50PS
IXYS
IXFV26N60PS
IXYS
IXFV30N50PS
IXYS
IXFV30N60PS
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IXFV36N50P
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