casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFV30N50PS
codice articolo del costruttore | IXFV30N50PS |
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Numero di parte futuro | FT-IXFV30N50PS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFV30N50PS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 460W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS-220SMD |
Pacchetto / caso | PLUS-220SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV30N50PS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFV30N50PS-FT |
ITD50N04S4L04ATMA1
Infineon Technologies
IXFB30N120Q2
IXYS
IXFC10N80P
IXYS
IXFC110N10P
IXYS
IXFC12N80P
IXYS
IXFC13N50
IXYS
IXFC14N60P
IXYS
IXFC14N80P
IXYS
IXFC15N80Q
IXYS
IXFC16N80P
IXYS
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel