casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / JAN2N6768T1
codice articolo del costruttore | JAN2N6768T1 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N6768T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
JAN2N6768T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-254AA |
Pacchetto / caso | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6768T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N6768T1-FT |
IXFV26N50PS
IXYS
IXFV26N60PS
IXYS
IXFV30N50PS
IXYS
IXFV30N60PS
IXYS
IXFV36N50P
IXYS
IXFV36N50PS
IXYS
IXFV52N30PS
IXYS
IXFV74N20P
IXYS
IXFV74N20PS
IXYS
IXFV96N15P
IXYS
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel