casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6351
codice articolo del costruttore | JAN2N6351 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N6351 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/472 |
JAN2N6351 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 10mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AC, TO-33-4 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-33 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6351 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N6351-FT |
JANTX2N930
Microsemi Corporation
JANTX2N2906A
Microsemi Corporation
JANS2N2907A
Microsemi Corporation
JAN2N2222AL
Microsemi Corporation
JAN2N2906A
Microsemi Corporation
JAN2N930
Microsemi Corporation
JANTX2N2369A
Microsemi Corporation
JANTX2N4029
Microsemi Corporation
JANTX2N720A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2222AL
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel