casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N6351
codice articolo del costruttore | JAN2N6351 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N6351 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/472 |
JAN2N6351 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 10mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AC, TO-33-4 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-33 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N6351 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N6351-FT |
JANTX2N930
Microsemi Corporation
JANTX2N2906A
Microsemi Corporation
JANS2N2907A
Microsemi Corporation
JAN2N2222AL
Microsemi Corporation
JAN2N2906A
Microsemi Corporation
JAN2N930
Microsemi Corporation
JANTX2N2369A
Microsemi Corporation
JANTX2N4029
Microsemi Corporation
JANTX2N720A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2222AL
Microsemi Corporation
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP1S25F672C7N
Intel
10AX027H3F34I2LG
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5SGXEA7H3F35C2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2LN
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EP3SL150F1152C3N
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation