casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N2906A
codice articolo del costruttore | JAN2N2906A |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N2906A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/291 |
JAN2N2906A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2906A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N2906A-FT |
JANTX2N3868
Microsemi Corporation
JANTX2N5153L
Microsemi Corporation
JANTX2N5154L
Microsemi Corporation
JANTXV2N4150
Microsemi Corporation
JANTXV2N5154L
Microsemi Corporation
JANTX2N3868S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3868S
Microsemi Corporation
JANTXV2N4150S
Microsemi Corporation
JANTX2N5154
Microsemi Corporation
JANTXV2N5680
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V80-4FGG256I
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-PQ208I
Microsemi Corporation
APA600-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I2LN
Intel
XC2VP20-5FFG896I
Xilinx Inc.
EP3CLS70F780C8N
Intel
EPF6016QC208-3N
Intel
EP1SGX40GF1020C7
Intel