casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N930
codice articolo del costruttore | JAN2N930 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N930 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/253 |
JAN2N930 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10µA, 5V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N930 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N930-FT |
JANTX2N5153L
Microsemi Corporation
JANTX2N5154L
Microsemi Corporation
JANTXV2N4150
Microsemi Corporation
JANTXV2N5154L
Microsemi Corporation
JANTX2N3868S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3868S
Microsemi Corporation
JANTXV2N4150S
Microsemi Corporation
JANTX2N5154
Microsemi Corporation
JANTXV2N5680
Microsemi Corporation
JANTXV2N3421U4
Microsemi Corporation
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation