casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N930
codice articolo del costruttore | JAN2N930 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N930 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/253 |
JAN2N930 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10µA, 5V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N930 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N930-FT |
JANTX2N5153L
Microsemi Corporation
JANTX2N5154L
Microsemi Corporation
JANTXV2N4150
Microsemi Corporation
JANTXV2N5154L
Microsemi Corporation
JANTX2N3868S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3868S
Microsemi Corporation
JANTXV2N4150S
Microsemi Corporation
JANTX2N5154
Microsemi Corporation
JANTXV2N5680
Microsemi Corporation
JANTXV2N3421U4
Microsemi Corporation
A40MX04-1VQ80M
Microsemi Corporation
EX64-PTQ100I
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
APA750-FG676I
Microsemi Corporation
EP1M120F484C5N
Intel
5SGXEA3K2F35I2L
Intel
XC7VX485T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
XC7K420T-1FFG901C
Xilinx Inc.
XC7A15T-3CSG324E
Xilinx Inc.
10M04SCU324C8G
Intel