casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N2906AUA
codice articolo del costruttore | JAN2N2906AUA |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N2906AUA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/291 |
JAN2N2906AUA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2906AUA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N2906AUA-FT |
NSS20501UW3TBG
ON Semiconductor
BC184B
Central Semiconductor Corp
SJD112T4G
ON Semiconductor
FCX558QTA
Diodes Incorporated
TIP30B
Central Semiconductor Corp
2N3253
Central Semiconductor Corp
2SA2071P5T100Q
Rohm Semiconductor
BU806
Central Semiconductor Corp
2N3055
Central Semiconductor Corp
2SAR562F3TR
Rohm Semiconductor
EPF6024ATC144-2
Intel
AGLN250V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
EPF10K30EFI256-2
Intel
5SGXEA7K2F35I3LN
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-FPLG84
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
10AX090H2F34E1SG
Intel
5AGXFA5H4F35C5N
Intel
10AX022E3F29E1SG
Intel