casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3499L
codice articolo del costruttore | JAN2N3499L |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3499L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/366 |
JAN2N3499L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 30mA, 300mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3499L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3499L-FT |
BU806
Central Semiconductor Corp
2N3055
Central Semiconductor Corp
2SAR562F3TR
Rohm Semiconductor
2SCR553RTL
Rohm Semiconductor
2SA1907
Sanken
2SB1587
Sanken
2SB1588
Sanken
2SB1649
Sanken
2SC4300
Sanken
2SC4388
Sanken
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
5SGXEA3K2F40C2N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
Intel
EP20K100QC240-1
Intel
EP20K60EQI208-2X
Intel