casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N5806US
codice articolo del costruttore | JAN1N5806US |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N5806US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5806US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5806US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N5806US-FT |
JANTX1N4148UR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N5711UR-1
Microsemi Corporation
JANTX1N3595UR-1
Microsemi Corporation
JANTX1N4150UR-1
Microsemi Corporation
JANTX1N5712UR-1
Microsemi Corporation
JANTX1N914UR
Microsemi Corporation
JANTXV1N4454UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N5711UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4148UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4150UR-1
Microsemi Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
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EP1S40F780I6
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Intel