casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JAN1N4150UR-1
codice articolo del costruttore | JAN1N4150UR-1 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN1N4150UR-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/231 |
JAN1N4150UR-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4150UR-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN1N4150UR-1-FT |
APT30D100BG
Microsemi Corporation
APT30D40BG
Microsemi Corporation
APT60D20BG
Microsemi Corporation
APT75DQ100BG
Microsemi Corporation
APT100DL60BG
Microsemi Corporation
MSC030SDA120B
Microsemi Corporation
MSC050SDA070B
Microsemi Corporation
APT30D20BG
Microsemi Corporation
APT10SCD120B
Microsemi Corporation
APT10SCE120B
Microsemi Corporation
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel