casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANTXV1N5711UR-1
codice articolo del costruttore | JANTXV1N5711UR-1 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV1N5711UR-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/444 |
JANTXV1N5711UR-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 33mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 410mV @ 1mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N5711UR-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV1N5711UR-1-FT |
MSC010SDA120B
Microsemi Corporation
APT30D30BG
Microsemi Corporation
APT60D40BG
Microsemi Corporation
APT15D100BG
Microsemi Corporation
APT40DQ120BG
Microsemi Corporation
APT60DQ120BG
Microsemi Corporation
APT15D120BG
Microsemi Corporation
APT15D60BG
Microsemi Corporation
APT30D100BG
Microsemi Corporation
APT30D40BG
Microsemi Corporation
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel